PN Junction Diode Notes PDF in Hindi | Semiconductor Physics Complete Notes | Engineering Physics (BT-202) | RGPV BTech First Year
PN Junction Diode Notes PDF in Hindi | Semiconductor Physics Complete Notes | Engineering Physics (BT-202) | RGPV BTech First Year
PN Junction Diode
PN Junction Diode Semiconductor Electronics рдХрд╛ рд╕рдмрд╕реЗ рдорд╣рддреНрд╡рдкреВрд░реНрдг Device рд╣реИред рдпрд╣ рдПрдХ P-Type Semiconductor рддрдерд╛ N-Type Semiconductor рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рдХрд░ рдмрдирд╛рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред рдЖрдзреБрдирд┐рдХ Electronics, Communication Systems, Rectifiers, Switching Circuits рддрдерд╛ Integrated Circuits рдХрд╛ рдЖрдзрд╛рд░ PN Junction Diode рд╣реИред
Diode рдПрдХ Two Terminal Semiconductor Device рд╣реИ рдЬреЛ Current рдХреЛ рдХреЗрд╡рд▓ рдПрдХ рджрд┐рд╢рд╛ рдореЗрдВ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣рд┐рдд рд╣реЛрдиреЗ рджреЗрддрд╛ рд╣реИ рддрдерд╛ рджреВрд╕рд░реА рджрд┐рд╢рд╛ рдореЗрдВ рд░реЛрдХрддрд╛ рд╣реИред
Introduction
рдЬрдм P-Type Semiconductor рддрдерд╛ N-Type Semiconductor рдХреЛ рдЖрдкрд╕ рдореЗрдВ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рддрдм рдЙрдирдХреЗ рд╕рдВрдкрд░реНрдХ рдХреНрд╖реЗрддреНрд░ рдкрд░ PN Junction рдмрдирддрд╛ рд╣реИред Junction рдмрдирдиреЗ рдкрд░ Charge Carriers рдХрд╛ Diffusion рдкреНрд░рд╛рд░рдВрдн рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ рдЬрд┐рд╕рдХреЗ рдкрд░рд┐рдгрд╛рдорд╕реНрд╡рд░реВрдк Depletion Region рддрдерд╛ Barrier Potential рдЙрддреНрдкрдиреНрди рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред
рдпрд╣реА Junction PN Junction Diode рдХреЗ рдХрд╛рд░реНрдп рдХрд░рдиреЗ рдХрд╛ рдЖрдзрд╛рд░ рд╣реИред
Definition
A PN Junction Diode is a semiconductor device formed by joining a P-Type Semiconductor and an N-Type Semiconductor together.
P-Type рддрдерд╛ N-Type Semiconductor рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рдХрд░ рдмрдирд╛рдП рдЧрдП Semiconductor Device рдХреЛ PN Junction Diode рдХрд╣рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
Construction of PN Junction Diode
PN Junction Diode рджреЛ рднрд╛рдЧреЛрдВ рд╕реЗ рдорд┐рд▓рдХрд░ рдмрдирд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ:
- P-Type Region
- N-Type Region
P-Type Region рдореЗрдВ Majority Charge Carriers Holes рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВ рдЬрдмрдХрд┐ N-Type Region рдореЗрдВ Majority Charge Carriers Electrons рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред
Formation of PN Junction
рдЬрдм P-Type рддрдерд╛ N-Type Materials рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рддрдм:
- Electrons N-Region рд╕реЗ P-Region рдХреА рдУрд░ Diffuse рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред
- Holes P-Region рд╕реЗ N-Region рдХреА рдУрд░ Diffuse рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред
- Recombination рдкреНрд░рд╛рд░рдВрдн рд╣реЛрддреА рд╣реИред
- Junction рдкрд░ Depletion Layer рдмрдирддреА рд╣реИред
Depletion Region
PN Junction рдХреЗ рдЖрд╕рдкрд╛рд╕ рдХрд╛ рд╡рд╣ рдХреНрд╖реЗрддреНрд░ рдЬрд╣рд╛рдБ Free Charge Carriers рдирд╣реАрдВ рд╣реЛрддреЗ, Depletion Region рдХрд╣рд▓рд╛рддрд╛ рд╣реИред
рдЗрд╕реЗ Depletion Layer рдпрд╛ Space Charge Region рднреА рдХрд╣рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
Characteristics
- No Free Electrons
- No Free Holes
- Acts as Insulator
- Creates Electric Field
Barrier Potential
Depletion Region рдореЗрдВ рдЙрддреНрдкрдиреНрди Electric Field рдПрдХ Potential Difference рдмрдирд╛рддрд╛ рд╣реИ рдЬрд┐рд╕реЗ Barrier Potential рдХрд╣рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
| Material | Barrier Potential |
|---|---|
| Germanium | 0.3 V |
| Silicon | 0.7 V |
Biasing of PN Junction Diode
Diode рдХреЗ рдЙрдЪрд┐рдд рд╕рдВрдЪрд╛рд▓рди рдХреЗ рд▓рд┐рдП External Voltage рд▓рдЧрд╛рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рдЬрд┐рд╕реЗ Biasing рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВред
Biasing рджреЛ рдкреНрд░рдХрд╛рд░ рдХреА рд╣реЛрддреА рд╣реИ:
- Forward Biasing
- Reverse Biasing
1. Forward Biasing
рдЬрдм Battery рдХрд╛ Positive Terminal P-Side рддрдерд╛ Negative Terminal N-Side рд╕реЗ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рддрдм рдЗрд╕реЗ Forward Biasing рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВред
Effects
- Barrier Potential рдХрдо рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
- Depletion Layer рдкрддрд▓реА рд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред
- Current Flow рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
- Diode Conducting State рдореЗрдВ рдЖ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
2. Reverse Biasing
рдЬрдм Battery рдХрд╛ Positive Terminal N-Side рддрдерд╛ Negative Terminal P-Side рд╕реЗ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рддрдм рдЗрд╕реЗ Reverse Biasing рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВред
Effects
- Barrier Potential рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
- Depletion Layer рдЪреМрдбрд╝реА рд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред
- Current рд▓рдЧрднрдЧ рд╢реВрдиреНрдп рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
- Diode Non-Conducting State рдореЗрдВ рд░рд╣рддрд╛ рд╣реИред
Current Flow in PN Junction Diode
Forward Biasing рдореЗрдВ Majority Carriers Current рдЙрддреНрдкрдиреНрди рдХрд░рддреЗ рд╣реИрдВ рдЬрдмрдХрд┐ Reverse Biasing рдореЗрдВ рдХреЗрд╡рд▓ Minority Carrier Current рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣рд┐рдд рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред
V-I Characteristics of PN Junction Diode
Forward Characteristics
- Cut-in Voltage рдХреЗ рдмрд╛рдж Current рддреЗрдЬреА рд╕реЗ рдмрдврд╝рддрд╛ рд╣реИред
- Silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП Cut-in Voltage тЙИ 0.7 V
- Germanium рдХреЗ рд▓рд┐рдП Cut-in Voltage тЙИ 0.3 V
Reverse Characteristics
- Reverse Current рдмрд╣реБрдд рдХрдо рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред
- Breakdown Voltage рдкрд░ Current рдЕрдЪрд╛рдирдХ рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
Characteristics of PN Junction Diode
- Unidirectional Conduction
- Low Power Consumption
- Fast Switching
- Reliable Operation
- Small Size
- High Efficiency
Advantages
- Simple Construction
- Low Cost
- High Reliability
- Long Life
- Fast Response
- Compact Size
Applications of PN Junction Diode
- Rectifiers
- Switching Circuits
- Signal Detection
- Voltage Regulation
- Clipping Circuits
- Clamping Circuits
- Communication Systems
- Power Supply Circuits
Industrial Importance
- Electronics Industry
- Computer Industry
- Telecommunication Industry
- Power Electronics Industry
- Consumer Electronics Industry
- Automation Industry
Forward Bias vs Reverse Bias
| Forward Bias | Reverse Bias |
|---|---|
| Low Resistance | High Resistance |
| Current Flows | Current Nearly Zero |
| Thin Depletion Layer | Wide Depletion Layer |
| Conducting State | Non Conducting State |
Viva Questions
- PN Junction Diode рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
- Depletion Region рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
- Barrier Potential рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
- Forward Biasing рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
- Reverse Biasing рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
- Silicon рдХрд╛ Barrier Potential рдХрд┐рддрдирд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ?
- Germanium рдХрд╛ Barrier Potential рдХрд┐рддрдирд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ?
- PN Junction рдХреИрд╕реЗ рдмрдирддрд╛ рд╣реИ?
- Majority Carrier рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
- PN Junction Diode рдХреЗ рдЕрдиреБрдкреНрд░рдпреЛрдЧ рд▓рд┐рдЦрд┐рдПред
Exam Oriented Important Questions
- PN Junction Diode рдХрд╛ рдирд┐рд░реНрдорд╛рдг рдПрд╡рдВ рдХрд╛рд░реНрдп рд╕рд┐рджреНрдзрд╛рдВрдд рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
- Depletion Region рддрдерд╛ Barrier Potential рдХреА рд╡реНрдпрд╛рдЦреНрдпрд╛ рдХреАрдЬрд┐рдПред
- Forward рддрдерд╛ Reverse Biasing рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
- PN Junction Diode рдХреА V-I Characteristics рдмрдирд╛рдХрд░ рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
- PN Junction Diode рдХреЗ рдЕрдиреБрдкреНрд░рдпреЛрдЧ рд▓рд┐рдЦрд┐рдПред
- Forward Bias рдПрд╡рдВ Reverse Bias рдореЗрдВ рдЕрдВрддрд░ рд▓рд┐рдЦрд┐рдПред
- Majority рддрдерд╛ Minority Charge Carriers рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
- Modern Electronics рдореЗрдВ PN Junction Diode рдХрд╛ рдорд╣рддреНрд╡ рд╕реНрдкрд╖реНрдЯ рдХреАрдЬрд┐рдПред
Conclusion
PN Junction Diode Semiconductor Electronics рдХрд╛ рдЖрдзрд╛рд░рднреВрдд Device рд╣реИред рдпрд╣ Current рдХреЛ рдХреЗрд╡рд▓ рдПрдХ рджрд┐рд╢рд╛ рдореЗрдВ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣рд┐рдд рд╣реЛрдиреЗ рджреЗрддрд╛ рд╣реИ рддрдерд╛ Rectification, Switching рдПрд╡рдВ Signal Processing рдореЗрдВ рдорд╣рддреНрд╡рдкреВрд░реНрдг рднреВрдорд┐рдХрд╛ рдирд┐рднрд╛рддрд╛ рд╣реИред рдЖрдзреБрдирд┐рдХ Electronic Circuits, Computers рддрдерд╛ Communication Systems рдореЗрдВ рдЗрд╕рдХрд╛ рд╡реНрдпрд╛рдкрдХ рдЙрдкрдпреЛрдЧ рдХрд┐рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
Related Articles
Synthesis Methods of Nanomaterials Notes in Hindi | Top-Down and Bottom-Up Approach Explained | Engineering Physics BT201 RGPV
Synthesis Methods of Nanomaterials Notes in Hindi Nanotech...
Read More тЖТApplications of Nanotechnology Notes in Hindi | Uses in Electronics, Medicine, Energy and Environment Explained | Engineering Physics BT201 RGPV
Applications of Nanotechnology Notes in Hindi Nanotechnolo...
Read More тЖТQuantum Dots Notes in Hindi | Structure, Properties, Quantum Confinement Effect and Applications Explained | Engineering Physics BT201 RGPV
Quantum Dots Notes in Hindi Quantum Dots (QDs) рдЖрдзреБрд...
Read More тЖТGraphene Notes in Hindi | Structure, Properties, Preparation Methods and Applications Explained | Engineering Physics BT201 RGPV
Graphene Notes in Hindi Graphene рдЖрдзреБрдирд┐рдХ Nanote...
Read More тЖТCarbon Nanotubes (CNT) Notes in Hindi | Structure, Types, Properties and Applications Explained | Engineering Physics BT201 RGPV
Carbon Nanotubes (CNT) Notes in Hindi Carbon Nanotubes (CN...
Read More тЖТ