PN Junction Diode Notes PDF in Hindi | Semiconductor Physics Complete Notes | Engineering Physics (BT-202) | RGPV BTech First Year

PN Junction Diode Notes PDF in Hindi | Semiconductor Physics Complete Notes | Engineering Physics (BT-202) | RGPV BTech First Year


PN Junction Diode

PN Junction Diode Semiconductor Electronics рдХрд╛ рд╕рдмрд╕реЗ рдорд╣рддреНрд╡рдкреВрд░реНрдг Device рд╣реИред рдпрд╣ рдПрдХ P-Type Semiconductor рддрдерд╛ N-Type Semiconductor рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рдХрд░ рдмрдирд╛рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред рдЖрдзреБрдирд┐рдХ Electronics, Communication Systems, Rectifiers, Switching Circuits рддрдерд╛ Integrated Circuits рдХрд╛ рдЖрдзрд╛рд░ PN Junction Diode рд╣реИред

Diode рдПрдХ Two Terminal Semiconductor Device рд╣реИ рдЬреЛ Current рдХреЛ рдХреЗрд╡рд▓ рдПрдХ рджрд┐рд╢рд╛ рдореЗрдВ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣рд┐рдд рд╣реЛрдиреЗ рджреЗрддрд╛ рд╣реИ рддрдерд╛ рджреВрд╕рд░реА рджрд┐рд╢рд╛ рдореЗрдВ рд░реЛрдХрддрд╛ рд╣реИред


Introduction

рдЬрдм P-Type Semiconductor рддрдерд╛ N-Type Semiconductor рдХреЛ рдЖрдкрд╕ рдореЗрдВ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рддрдм рдЙрдирдХреЗ рд╕рдВрдкрд░реНрдХ рдХреНрд╖реЗрддреНрд░ рдкрд░ PN Junction рдмрдирддрд╛ рд╣реИред Junction рдмрдирдиреЗ рдкрд░ Charge Carriers рдХрд╛ Diffusion рдкреНрд░рд╛рд░рдВрдн рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ рдЬрд┐рд╕рдХреЗ рдкрд░рд┐рдгрд╛рдорд╕реНрд╡рд░реВрдк Depletion Region рддрдерд╛ Barrier Potential рдЙрддреНрдкрдиреНрди рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред

рдпрд╣реА Junction PN Junction Diode рдХреЗ рдХрд╛рд░реНрдп рдХрд░рдиреЗ рдХрд╛ рдЖрдзрд╛рд░ рд╣реИред


Definition

A PN Junction Diode is a semiconductor device formed by joining a P-Type Semiconductor and an N-Type Semiconductor together.

P-Type рддрдерд╛ N-Type Semiconductor рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рдХрд░ рдмрдирд╛рдП рдЧрдП Semiconductor Device рдХреЛ PN Junction Diode рдХрд╣рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред


Construction of PN Junction Diode

PN Junction Diode рджреЛ рднрд╛рдЧреЛрдВ рд╕реЗ рдорд┐рд▓рдХрд░ рдмрдирд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ:

  • P-Type Region
  • N-Type Region

P-Type Region рдореЗрдВ Majority Charge Carriers Holes рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВ рдЬрдмрдХрд┐ N-Type Region рдореЗрдВ Majority Charge Carriers Electrons рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред


Formation of PN Junction

рдЬрдм P-Type рддрдерд╛ N-Type Materials рдХреЛ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ, рддрдм:

  • Electrons N-Region рд╕реЗ P-Region рдХреА рдУрд░ Diffuse рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред
  • Holes P-Region рд╕реЗ N-Region рдХреА рдУрд░ Diffuse рд╣реЛрддреЗ рд╣реИрдВред
  • Recombination рдкреНрд░рд╛рд░рдВрдн рд╣реЛрддреА рд╣реИред
  • Junction рдкрд░ Depletion Layer рдмрдирддреА рд╣реИред

Depletion Region

PN Junction рдХреЗ рдЖрд╕рдкрд╛рд╕ рдХрд╛ рд╡рд╣ рдХреНрд╖реЗрддреНрд░ рдЬрд╣рд╛рдБ Free Charge Carriers рдирд╣реАрдВ рд╣реЛрддреЗ, Depletion Region рдХрд╣рд▓рд╛рддрд╛ рд╣реИред

рдЗрд╕реЗ Depletion Layer рдпрд╛ Space Charge Region рднреА рдХрд╣рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред

Characteristics

  • No Free Electrons
  • No Free Holes
  • Acts as Insulator
  • Creates Electric Field

Barrier Potential

Depletion Region рдореЗрдВ рдЙрддреНрдкрдиреНрди Electric Field рдПрдХ Potential Difference рдмрдирд╛рддрд╛ рд╣реИ рдЬрд┐рд╕реЗ Barrier Potential рдХрд╣рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред

Material Barrier Potential
Germanium 0.3 V
Silicon 0.7 V

Biasing of PN Junction Diode

Diode рдХреЗ рдЙрдЪрд┐рдд рд╕рдВрдЪрд╛рд▓рди рдХреЗ рд▓рд┐рдП External Voltage рд▓рдЧрд╛рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рдЬрд┐рд╕реЗ Biasing рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВред

Biasing рджреЛ рдкреНрд░рдХрд╛рд░ рдХреА рд╣реЛрддреА рд╣реИ:

  1. Forward Biasing
  2. Reverse Biasing

1. Forward Biasing

рдЬрдм Battery рдХрд╛ Positive Terminal P-Side рддрдерд╛ Negative Terminal N-Side рд╕реЗ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рддрдм рдЗрд╕реЗ Forward Biasing рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВред

Effects

  • Barrier Potential рдХрдо рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
  • Depletion Layer рдкрддрд▓реА рд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред
  • Current Flow рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
  • Diode Conducting State рдореЗрдВ рдЖ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред

2. Reverse Biasing

рдЬрдм Battery рдХрд╛ Positive Terminal N-Side рддрдерд╛ Negative Terminal P-Side рд╕реЗ рдЬреЛрдбрд╝рд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИ рддрдм рдЗрд╕реЗ Reverse Biasing рдХрд╣рддреЗ рд╣реИрдВред

Effects

  • Barrier Potential рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
  • Depletion Layer рдЪреМрдбрд╝реА рд╣реЛ рдЬрд╛рддреА рд╣реИред
  • Current рд▓рдЧрднрдЧ рд╢реВрдиреНрдп рд╣реЛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред
  • Diode Non-Conducting State рдореЗрдВ рд░рд╣рддрд╛ рд╣реИред

Current Flow in PN Junction Diode

Forward Biasing рдореЗрдВ Majority Carriers Current рдЙрддреНрдкрдиреНрди рдХрд░рддреЗ рд╣реИрдВ рдЬрдмрдХрд┐ Reverse Biasing рдореЗрдВ рдХреЗрд╡рд▓ Minority Carrier Current рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣рд┐рдд рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред


V-I Characteristics of PN Junction Diode

Forward Characteristics

  • Cut-in Voltage рдХреЗ рдмрд╛рдж Current рддреЗрдЬреА рд╕реЗ рдмрдврд╝рддрд╛ рд╣реИред
  • Silicon рдХреЗ рд▓рд┐рдП Cut-in Voltage тЙИ 0.7 V
  • Germanium рдХреЗ рд▓рд┐рдП Cut-in Voltage тЙИ 0.3 V

Reverse Characteristics

  • Reverse Current рдмрд╣реБрдд рдХрдо рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИред
  • Breakdown Voltage рдкрд░ Current рдЕрдЪрд╛рдирдХ рдмрдврд╝ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред

Characteristics of PN Junction Diode

  • Unidirectional Conduction
  • Low Power Consumption
  • Fast Switching
  • Reliable Operation
  • Small Size
  • High Efficiency

Advantages

  • Simple Construction
  • Low Cost
  • High Reliability
  • Long Life
  • Fast Response
  • Compact Size

Applications of PN Junction Diode

  • Rectifiers
  • Switching Circuits
  • Signal Detection
  • Voltage Regulation
  • Clipping Circuits
  • Clamping Circuits
  • Communication Systems
  • Power Supply Circuits

Industrial Importance

  • Electronics Industry
  • Computer Industry
  • Telecommunication Industry
  • Power Electronics Industry
  • Consumer Electronics Industry
  • Automation Industry

Forward Bias vs Reverse Bias

Forward Bias Reverse Bias
Low Resistance High Resistance
Current Flows Current Nearly Zero
Thin Depletion Layer Wide Depletion Layer
Conducting State Non Conducting State

Viva Questions

  1. PN Junction Diode рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
  2. Depletion Region рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
  3. Barrier Potential рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
  4. Forward Biasing рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
  5. Reverse Biasing рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
  6. Silicon рдХрд╛ Barrier Potential рдХрд┐рддрдирд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ?
  7. Germanium рдХрд╛ Barrier Potential рдХрд┐рддрдирд╛ рд╣реЛрддрд╛ рд╣реИ?
  8. PN Junction рдХреИрд╕реЗ рдмрдирддрд╛ рд╣реИ?
  9. Majority Carrier рдХреНрдпрд╛ рд╣реИ?
  10. PN Junction Diode рдХреЗ рдЕрдиреБрдкреНрд░рдпреЛрдЧ рд▓рд┐рдЦрд┐рдПред

Exam Oriented Important Questions

  1. PN Junction Diode рдХрд╛ рдирд┐рд░реНрдорд╛рдг рдПрд╡рдВ рдХрд╛рд░реНрдп рд╕рд┐рджреНрдзрд╛рдВрдд рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
  2. Depletion Region рддрдерд╛ Barrier Potential рдХреА рд╡реНрдпрд╛рдЦреНрдпрд╛ рдХреАрдЬрд┐рдПред
  3. Forward рддрдерд╛ Reverse Biasing рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
  4. PN Junction Diode рдХреА V-I Characteristics рдмрдирд╛рдХрд░ рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
  5. PN Junction Diode рдХреЗ рдЕрдиреБрдкреНрд░рдпреЛрдЧ рд▓рд┐рдЦрд┐рдПред
  6. Forward Bias рдПрд╡рдВ Reverse Bias рдореЗрдВ рдЕрдВрддрд░ рд▓рд┐рдЦрд┐рдПред
  7. Majority рддрдерд╛ Minority Charge Carriers рд╕рдордЭрд╛рдЗрдПред
  8. Modern Electronics рдореЗрдВ PN Junction Diode рдХрд╛ рдорд╣рддреНрд╡ рд╕реНрдкрд╖реНрдЯ рдХреАрдЬрд┐рдПред

Conclusion

PN Junction Diode Semiconductor Electronics рдХрд╛ рдЖрдзрд╛рд░рднреВрдд Device рд╣реИред рдпрд╣ Current рдХреЛ рдХреЗрд╡рд▓ рдПрдХ рджрд┐рд╢рд╛ рдореЗрдВ рдкреНрд░рд╡рд╛рд╣рд┐рдд рд╣реЛрдиреЗ рджреЗрддрд╛ рд╣реИ рддрдерд╛ Rectification, Switching рдПрд╡рдВ Signal Processing рдореЗрдВ рдорд╣рддреНрд╡рдкреВрд░реНрдг рднреВрдорд┐рдХрд╛ рдирд┐рднрд╛рддрд╛ рд╣реИред рдЖрдзреБрдирд┐рдХ Electronic Circuits, Computers рддрдерд╛ Communication Systems рдореЗрдВ рдЗрд╕рдХрд╛ рд╡реНрдпрд╛рдкрдХ рдЙрдкрдпреЛрдЧ рдХрд┐рдпрд╛ рдЬрд╛рддрд╛ рд╣реИред

Related Articles

Synthesis Methods of Nanomaterials Notes in Hindi | Top-Down and Bottom-Up Approach Explained | Engineering Physics BT201 RGPV

Synthesis Methods of Nanomaterials Notes in Hindi Nanotech...

Read More тЖТ

Applications of Nanotechnology Notes in Hindi | Uses in Electronics, Medicine, Energy and Environment Explained | Engineering Physics BT201 RGPV

Applications of Nanotechnology Notes in Hindi Nanotechnolo...

Read More тЖТ

Quantum Dots Notes in Hindi | Structure, Properties, Quantum Confinement Effect and Applications Explained | Engineering Physics BT201 RGPV

Quantum Dots Notes in Hindi Quantum Dots (QDs) рдЖрдзреБрд...

Read More тЖТ

Graphene Notes in Hindi | Structure, Properties, Preparation Methods and Applications Explained | Engineering Physics BT201 RGPV

Graphene Notes in Hindi Graphene рдЖрдзреБрдирд┐рдХ Nanote...

Read More тЖТ

Carbon Nanotubes (CNT) Notes in Hindi | Structure, Types, Properties and Applications Explained | Engineering Physics BT201 RGPV

Carbon Nanotubes (CNT) Notes in Hindi Carbon Nanotubes (CN...

Read More тЖТ